蘇州聯訊は高いテスト精度、優れたテスト安定性及び柔軟な拡張性を備え、研究室での検証と量産テストに適しているSiP WaferテスターsCT9001を発表します。

5G、ビッグデータ、ブロックチェーン、クラウドコンピューティング、モノのインターネット、人工知能などを活用する市場の急速な発展に伴い、データトラフィックが爆発的に増加しています。より高い伝送レートと信頼性、および費用対効果に優れた通信ネットワークの構築が急務となっています。

SiP技術はシリコンとシリコンベースの基板材料に基づいて、既存のCMOSプロセスを利用して光デバイスの開発と集積を行う次世代技術として、集積回路技術の超大規模、超高精度の製造特性と光子技術の超高速と超低消費電力という利点を組み合わせたもので、将来の大規模光電融合プログラムの主流となります。

従来の大規模集積回路チップと異なり、光電子チップ (特にLDチップ) の材料コスト (III-V、II-IV族) が高く、製造プロセスが多く、工程が複雑で、SiPチップのサイズが小さく、集積密度が高いため、光-光テスト、光-電気テスト、電気-電気テスト、RF試験など、テストを実施する必要のある項目とパラメータが多くあるため、On-waferテストは極めて重要です。

蘇州聯訊は自社のコアコンプタンスおよび複雑な高精度プローブの自動制御と試験・測定分野において積み重ねた専門知識を組み合わせて、sCT9001全自動SiP Waferテスターを発表しました。顧客のWaferレベルチップの光電気特性試験と測定の要件に満たします。

sCT9001システムの特徴

全自動と半自動モードでのWaferのローディング・アンローディングに対応。

8インチと6インチWaferに対応。

テスト温度範囲は室温～150℃に対応 (その他の温度はカスタマイズ可能)。

光学テスト、光電テスト、電気パラメータテストに対応。

DCとACテストに対応。

格子の垂直カップリングに対応。

光プローブには高精度高度計が搭載され、異なるチップ間の入射光ファイバ端面からチップ表面までの高さの整合性を確保します。

標準高精度カップリングコントローラを搭載し、完全閉ループ制御＋ハードウェアの同期により、カップリング精度と速度を向上させます。

異なるタイプのチップに対して、異なるタイプのピンカードを迅速に交換可能。

ソフトウェアは顧客データベースとMES機能の追加が可能。

プローブステーションのパラメータ：

カップリングモジュールのパラメータ:

テストのパラメータ：