車載用SiCチップにおけるWafer信頼性評価の必要性:
バスタブ曲線理論によると、どの電子部品もライフサイクルの初期に故障率が高く、時間の経過とともに故障率は大幅に低下し、安定期に入ります。
車載用SiCパワーモジュールは通常のTOパッケージのデバイスと異なります。通常のTOパッケージのデバイスは、内部にDIEが1つしかないため、故障した場合、一つのデバイスを交換するだけで済みます。しかし、車載用SiCパワーモジュールの内部は十数個から数十個のDIEが内蔵されているため、DIEが一つ故障した場合、モジュール全体の性能が影響を及ぼします。したがって、不良DIEを事前にウェハーから選別できれば、パッケージングされたモジュールの良品率とライフサイクルを大幅に改善できます。
聯訊は、CP-ローディング装置-Waferバーンイン-アンローディング装置-KDGを含めて、Waferバーンインに関するソリューションズ一式を提供し、モジュールにパッケージングされる前のすべての課題が解決できます。
Waferバーンインシステム: WLR3500パラメータ
GaN、SiC車載用Waferバーンインに使用
同時に最大12GBまたは6GB&RBウェハーの同時バーンインに対応
各引き出しは独立した温度制御と電源供給が可能
HTGB電圧+/-50V、HTRB電圧3000V
システム全体は最大8544(712*12) チャンネル (HTGB) を提供可能
バーンイン中のテスト漏れ電流分解能は0.1nA
ハードウェア各回路への完備な防護
信頼性の高い>4Bar大気圧下のガス防護
Igss、Idss、Vthテストに対応
温度範囲RT-200C
テーブルでのtest plan設定が可能
自動pass/fail判定に対応
お客様が定義したルールに沿ったBINソートと関連mapチャートの生成に対応
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