Waferレベルバーンインテスター
WLBI3800FA
Waferレベル全自動バーンインオールインワンシステム
WLBI3800FA システムは一回で3つのWaferのHTGBとHTRB試験を行うことができ、自動的にローディング・アンローディングが可能で、2、3、4、6、8インチのWaferに対応しています。デュアルカセット設計により、シームレスなバイーイン、バイーイン条件の自動切り替え、各製品ごとのVthテストの実施とさまざまなコスト要件に合わせるための構成変更を可能にし、設定可能な研究開発アプリケーションと量産アプリケーションをお客様に提供します。バイーイン時間は数分から数十時間、数千時間にまで設定可能で、チャンネルごとにテスト対象デバイスを保護するための過電流保護機能を備え、解析用MAPデータを提供することもできます。
特徴
2、3、4、6、8インチのWaferに対応
HTGBとHTRBを一つの引き出し
Idss・Igss・Vthパラメトリック・テストに対応
MAPデータバインディングに対応するため、データを追跡可能
3枚のウェハーを同時にバーンイン可能
単層で最大2112チャンネルの同時バーンインに対応（チャンネル数設定可能）
高精度漏れ電流テスト
最大0.1nAの漏れ電流分解能精度
プローブの痕に基づいた繰り返しアライメントに対応
精度±25um
窒素防護に対応
高圧着火とPAD酸化を防止
カセット･ローディングとカセット･アンローディングの全自動バーンインに対応
シームレスなバーンインを実現するデュアルカセット設計に対応
耐高温設計、温度制御精度
引き出し加熱の関連部品を200℃に耐える設計を採用し、最大長時間動作温度は175度で機能と利点
このシステムはローディング・アンローディング機器とWaferバーンイン設備を組み合わせることを実現し、2、3、4、6、8インチのWaferバーンインの実施を可能にします。このシステムは3層の同時バーンインとデュアル25PCSカセットを同時に対応でき、手作業の少ない、自動化レベルの高い順次自動バーンインを実施できます。
治具耐電圧仕様
治具の最大使用電圧は2000V引き出し耐圧仕様
引き出しの最大使用電圧は2000V|
パラメータ |
仕様 |
|
適用製品 |
SiC Wafer |
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適用パッケージング |
6インチ、8インチの Wafer |
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バーンインパラメータ |
HTGB、HTRB |
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テストパラメータ |
Igss、Idss、Vth |
|
テスト時間 |
Igss、Idssリアルタイム・モニタリング、 1分の間隔 Vthテストの場合、1枚ごとのテスト時間＜1秒 |
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システムサイズ |
3800(W)X1900(H)X2100(D) |
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システムの消費電力 |
バーンインシステム<30kw、ローディング・アンローディングシステム<10kw |
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窒素防護 |
>0.6mPa |
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温度範囲 |
常温-175℃ |
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電圧範囲 |
ゲート±75V、ソース2000V |
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システムチャンネル |
2112 |
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システム層数 |
3層 |
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カッセト・ローディングに対応 |
最大25PCS |
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ローディング・アンローディングUPH |
6min/PCS |
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電流・電圧オーバーシュート |
いずれの場合にもオーバーシュートはありません |
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MESドッキング |
MESドッキングに対応 |
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