Waferレベルバーンインテスター
WLR3500
SiC高電圧Waferレベルバーンインシステム
Sic高電圧ウエハレベルバーンインシステムWLR3500は、一度6枚のウエハHTGB試験とHTRB試験を同時に対応可能、自動的にバイーイン条件をシフトしながらDIE一つひとつVthテストを対応します。お客様のニーズに沿ったカスタマイズ設定やコスト要件に合わせた構成対応など、チューニング調整し易いアプリケーションをお客様にご提供します。バイーインタイマーは数分から数千時間まで設定可能、全チャンネルにデバイスの過電流保護機能を備え、解析用マッピング情報を簡単に抽出可能になります。
特徴
複数のWaferバーンインに対応
SiC、GaNウェハー製品のバーンインに対応
高精度パラメータテスト
パラメータテスト Idss、Igss、Vth に対応
高温高湿信頼性
常時IDS/ICE制御バーンイン機能
高精度漏れ電流テスト
最大0.1nAの漏れ電流分解能精度
窒素防護
窒素防護に対応し、高圧着火とPAD酸化を防止
過電流保護
過電流保護、短絡電流瞬時検出時間<100 ns
耐高温設計
引き出し加熱関連部分に200℃を耐えられる耐熱設計
温度均一性が高い
均一性±3℃ 、確度<1℃、分解能0.1℃機能と利点
治具設計
Probe cardにはWaferのDIEチャンネル数に相当するPogo Pinを利用し、耐熱温度175℃に圧着10万回以上の耐久性を担保します。アライメント精度は±50μmを実現。 300W出力に加熱機能付きのChuckでは室温から175℃まで加熱するには僅か20分。さらにヒートシンク内には温度センサーを利用して温度均一性を±3℃まで制御し、温度の制御精度は分解能0.1℃、温度差を1℃以下まで抑えます。高圧専用離隔セラミックプレートにて高い密閉性能を実現し、最高耐圧は0.4mPaまで対応することから、高圧着火を防止します。
単層引き出し設計
各層の回路が独立して制御され、異なる層が異なるモードで動作することを可能にし、バーンインPlanを呼び出すことで異なるバーンイン検証を行うことができます。| パラメータ | 仕様 |
| 適用製品 | GaN、SiC Wafer |
| 適用パッケージング | 4インチ、6インチ Wafer |
| バーンインパラメータ | HTGB、HTRB |
| テストパラメータ | Igss、Idss、Vth |
| システムサイズ (mm) |
2100(W) X 1900(H) X 1800(D) |
| システムの消費電力 | <32 kW |
| 窒素防護 | >0.6 mPa |
| 温度範囲 | 常温-175 ℃ |
| 電圧範囲 | ゲート±75 V、ソース2000 V |
| システムチャンネル | 720 |
| システム層数 | 6層 |
| 電流・電圧オーバーシュート | いずれの場合にもオーバーシュートはありません |
| MESドッキング | MESドッキングに対応 |
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