waferレベル信頼性評価システム
WLR0200
waferレベル信頼性評価システム
特徴
耐熱
プローブステーション温度は最大300℃
2~12インチWaferに対応
MPIカスタマイズされた高温半自動プローブステーションを使用
テスト周波数は最大1MHZ
高精度高周波数の電気容量テストメーターを使用
自社開発
テスト用のソースメーターは、聯訊儀器が自ら開発した高精度SMUを使用
自動テスティングとデータ分析を実現
TDDB/QBD/BTI/AC BTI/Vth/CVに対する自動テスティングとデータ分析を実現
MAPチャートの形式
データはMAPチャートとして表示可能で、データ出力形式を選択可能
窒素防護で酸化防止
| 項目 | WLR0200 | ||
| システム | 設備寸法（W x D x H） | 1100mm x 1150mm x 2000mm | |
| システムパワー | 2KVA | ||
| DUT 数 | 1 Wafer | ||
| MESシステムインターフェース | クライアントのMESシステムとデータとのドッキングを可能にするカスタマイズ開発に対応 | ||
| OS | WLR_OS @Windows 10 | ||
| テストモニター | OS | Windows 10 | |
| CPU | I7-10200 | ||
| 保管 | 16GB @DDR4 | ||
| HDD | 2T SSD | ||
| イーサネット | 10/100/1000base-TX x2 | ||
| ディスプレイ装置 | 21.5 Inch Wide Monitor | ||
| Z1-PLUS | Waferサイズ | Up to 12 inch | |
| X-Y Movement | Travel | 260mm(X) /280mm(Y) | |
| プローブステーション | Resolution | 0.1μm(X) /0.1μm (Y) | |
| Repeatability | 1.5μm | ||
| Z Movement | Travel | 10mm | |
| Resolution | 0.1μm | ||
| Repeatability | ±1μm | ||
| Theta Movement | Travel | ±7.5° | |
| Resolution | 0.0004° | ||
| 温度 | 温度範囲 | RT~300℃ | |
| 温度均一性 | ±1.5℃@300℃ | ||
| 項目 | WLR0200 | ||
| 電圧・電流測定 | Waferサイズ | Up to 8 inch | |
| 電流精度 | ±150m A | 0.2% + 25 μA | |
| ±15m A | 0.2% + 5 μA | ||
| ±1.5m A | 0.2% + 150nA | ||
| ±150μ A | 0.2% + 20nA | ||
| ±15μ A | 0.2% + 3nA | ||
| ±1.5μ A | 0.3% + 600pA | ||
| ±150n A | 0.5% + 300pA | ||
| 電圧精度 | ±200 V | 0.2% + 5 mV | |
| ±20 V | 0.2% + 5 mV | ||
| QBD | ±10m A | 0.2% +2 μA | |
| ±1m A | 0.2% +100nA | ||
| ±100μ A | 0.2% + 20nA | ||
| ±10μ A | 0.2% + 2nA | ||
| AC BTI | ±55 V | 0.5% + 10 mV@500KHz | |
| ±10 V | 0.5% + 2 mV@500KHz | ||
| ±1 V | 0.5% + 1 mV@500KHz | ||
| LCRパラメータ | 測定パラメータ | Cs-D、Cs-Q、Cs-Rs、Cp-D、Cp-Q、Cp-Rp、Cp-G | |
| 周波数 | 120 Hz、1 kHz、1 MHz | ||
| 測定精度 | 120 Hz (@ 100 uF, 0.5 V) | C: 0.085%, D: 0.00065 | |
| 1 kHz (@ 10 nF, 1 V) | C: 0.07%、D: 0.0005 | ||
| 1 MHz (@ 10 pF, 1 V) | C: 0.07%、D: 0.0005 | ||
| ケーブルの長さ | 0m、1m、2m | ||
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