等価時間サンプリング・オシロスコープは、等価時間サンプリングおよび再構築アイパターン技術に基づいており、より高精度で、よりコストの低いの高速光電・デジタル信号の測定を実現します。異なるフィルターのオプションの構成により、異なるレートの光アイパターンテストを同時に実施することができます。

高速シリアル・バスの場合、でクロック・データをデータエンコードによって伝送データフローに埋め込まれて、受信側ではクロックリカバリーによってクロック・データを抽出され、復元されたクロックでデータをサンプリングします。そのため、クロックリカバリー回路は高速シリアル信号の伝送と受信に不可欠なものとなっています。

PONシステムでは、OLTダウンストリームデータはブロードキャスト連続モードで伝送され、ONUアップストリームデータは複数のユーザ端末から時分割多重通信化で伝送したバーストモードデータパケットで構成されています。OLT受信機の性能を検証するためには、バーストビットエラーレートテスターがバーストモードに設定されてからのみ検証できます。

汎用ビットエラーレートテスターはビットエラーレートを測定と分析するメータであり、デジタル伝送システム、光ファイバー通信システム、デジタルマイクロ波通信システムのビットエラーテストとアラームモニタリングに用いられて、光モジュール、光学機器開発と生産中のビットエラーテスト用の重要な機器です。

近年、トランシーバーPAM4の使用に伴い、FECの強制導入により、光モジュールメーカーはPRBSに加え、MAC 層のトラフィックテストを追加する必要があります。従来のビットエラーレートメータと違って、トラフィックメータはイーサネットパケットテスト、イーサネットフレームに基づいたリアルFEC解析及び標準2544プロトコルテストなどに対応し、スイッチングを接続してフローテストを実施することもできることにより、ビットエラーレートテスターよりもネットワークテスターのほうが幅広く使用されるようになりました。

通信データの需要が伸び続けることは、伝送バックボーンットワークにおいて可変波長LDベースのコヒーレント通信モジュールの大量使用を後押ししています。

汎用光学計測器は光パワーメータ、光スイッチ、光減衰器はそれぞれ光パワー測定、光路切替、光パワーの調整などのシーンで使用されており、光通信システムに不可欠のメーターです。

高速トランシーバーシステムATEは高度統合されたトランシーバーのソフトウェア・ハードウェアテストプラットフォームです。ハードウェアプラットフォームはトランシーバーテストの各類のメーターを搭載し、ソフトウェアプラットフォームは各テスト用のサブ機能モジュールを搭載することで、実際のテスト要件に合わせて、最適なハードウェア構成を選択することができます。

高精度ソースメーターは、高精度ソースメーターは優れた操作性を継承しながら、安定な電圧（DC/AC）、電流（DC/AC）の供給と高い測定精度を実現した電子負荷装置で、各種半導体ディスクリート部品、太陽光発電、自動車、電池、ナノ粒子特性評価装置など多くの分野で愛用されてきました。

標準PXIeシャーシに対応するPXIeソースメータモジュールは、大規模な統合テストシステムを構築するためのマルチチャンネルソースメータの統合と拡張を容易にします。

高電圧ソースメーターは高電圧エレクトロニクスとパワー半導体デバイスの特性評価用に設計されており、パワー半導体の特性、GaN・SiCの特性評価、複合材料、高圧漏れ電流などのテストと研究分野に幅広く活用できます。

蘇州聯訊の低漏電マトリックススイッチは、高絶縁のリードリレーと低漏れ電流制御技術に基づいており、半導体ウエハのパラメータ測定アプリケーション専用に設計されています。SMU/SPGU/CMU/DMMなどの測定機器の接続をサポートしています。

WAT（Wafer Acceptance Test）は最高 48ピンをサポートし、柔軟に構成可能で、業界のプローブカード構造と互換性があります。すべてのタイプの汎用プローブステーション制御をサポートし、自社開発のアンダーp 級精度のソースメーターを搭載し、シリアルおよびパラレルの2つのテスト方式をサポートしています。

超高速パルスソース/ソースメータは、狭いパルス幅、高速立ち上がりエッジ、高精度パルス出力と測定に対応し、中電力デバイス、不揮発性メモリ、MEMSデバイスなどのテストシーンで広く使用されています。

waferレベル信頼性(Wafer Level Reliability) テスト技術は、半導体プロセス製品の信頼性に関する迅速なフィードバックプロセス制御情報の提供に使用することができます。waferレベル信頼性テストの目的は、半導体デバイスを構成する材料の変化を測定することです。

半導体LDは超小型、高効率、高速動作という優れた特性を持つ光通信のコア・デバイスです。製品の信頼性と寿命を確保するため、バーンイン前後の製品特性の変化などを含め、半導体LDは出荷前に様々なパラメーターをテストする必要があります。

早期故障につながる可能性のある欠陥デバイスを特定し、除去するために、製造工程におけるLDにバーンイン試験を行う必要があります。半導体LDは多様なパッケージング方法、パワーレベルがあるため、そのテストがより複雑になります。

SiPは光子と電子を情報キャリヤとするシリコンベースのオプトエレクトロニクスの大規模集積技術であり、ICチップの性能を大幅に高めることができ、ビッグデータ、人工知能、モバイル通信など新興産業の基盤技術であり、ビッグデータセンター、5G、モノのインターネットなどの産業に広く使用することができます。

ウェハーレベルバーンイン(Wafer Level Burn-In) テストは主に車載用SiCウェハーバーンインを指し、信頼性が低いSiCチップを選出し、パッケージング後の車載用SiCモジュールの使用中の信頼性を確保

KGD (Known Good Die) テストシステムは主にパワー半導体ベアチップの静的および動的パラメトリックテストテストに使用されます。DIEをスクリーニングすることで、モジュールパッケージングの累積良品率を向上させることができます。

蘇州聯訊AL6200 DIE検査選別機は、主にパワー半導体のDIEの外観検査、選別とBINソートに利用されます。製品仕様の判定要件はチップの外観検査を含むすべての検査項目を対応し、不良品の早期発見に貢献します。