SiCパワーデバイスの急速な発展

パワー半導体は電子機器の電力変換と回路制御のコアです。電源スイッチと電力変換は半導体の電流の流れを一方向にする特性を利用して実現する機能です。水力発電、原子力発電、火力発電、風力発電、さらには各種電池から供給される化学電力、そのほとんどが直接使用することができず、パワー半導体デバイスによるパワー転換を経て初めて機器に利用することができます。パワー半導体の具体的な用途として、周波数変換、位相変換、電圧変換、位相反転、整流、増幅、スイッチングなどがあり、関連製品は省エネを実現しており、自動車、通信、民生用の電子機器と産業分野に広く利用されています。

SiCをベースとしたパワーデバイスはハイパワーが必要とするシーンにおいて最適なパワーデバイスの一つとなっており、SiCに代表される第3世代半導体材料は広いバンドギャップ幅、高い絶縁破壊電界、高い熱伝導率、高い電子飽和速度などの特徴があるため、SiCを用いて製造した半導体デバイスは高電圧、大電流、高温、高周波、低損失などが必要とする分野において独自の優位性を有しています。

Yoleは、新エネルギー車と太陽光発電分野での利用に強く後押され、SiCパワーデバイスの市場規模は2021年の10.90億ドルから2027年の62.97億ドルに増加し、CAGRは34%に達すると予測しています。

Known Good Die テスト

KGD(Known Good Die) は、バーンイン/テストなどの方法で、前工程の生産に関わる不良・欠陥チップ (DIE) をパッケージング前に早期排除することで、パッケージング後の良品率を向上させ、高密度マルチチップのパッケージングの要件に合わせて、生産コストと時間を削減し、製品の発売を早めることができます。

蘇州聯訊SiC KDGテスター PB6200&PT6200

● 全自動ローディングで、ウェハー・Tape&Reeのローディングとアンローディングに対応

● マルチステーションでのパラレルテストに対応し、異なるステーションに異なる温度とテスト項目を設定可能

● 静的、動的、アバランシェ試験に対応し、テスト順次も調整可能

● 高温テストに対応し、温度範囲：室温~200℃

● 高温予熱とチップ表面の酸化防止に対応

● 電気プローブカードは密閉設計で、窒素を充填して高圧着火を防止し、窒素圧力をモニタリングすることが可能

● より高いテスト効率で、テストUPH>1000pcs

PB6200&PT6200

主な技術仕様