SA8000, 半導体パラメータ・アナライザ-聯訊儀器

特徴

高性能試験プラットフォーム
サブ・フェムトアンペア分解能
極微小電流の究極的な計測
電流測定分解能：0.1 fA（10^-16 A）
フル統合型・多次元計測機能
DC I-V、C-V、および高速パルス計測ユニットの柔軟な組み合わせ
プログラミング不要の「Quick Test」モード
デバイスの特性曲線や主要パラメータを迅速に測定

機能と利点

フル機能・高精度テスト計測
HPSMU 源・測定分解能：100nV/1fA
HRSMU 源・測定分解能：100nV/0.1fA
HV-SPGU 超高速パルスおよび過渡 I-V 計測 (Rise/Fall time, 20ns)
WGFMU 複雑な任意波形生成 (ALWG) および高速計測(Fast I/V, 500MSa/s)
MFCMU 多周波数容量計測(10MHz)
SemiExpert：半導体パラメータ解析用プロフェッショナル・ソフトウェア
スイッチ・マトリクス対応（Switch）
プローバ対応 (Prober)
オープンなアルゴリズム・ライブラリ (Python)
リアルタイム・グラフ表示 (Chart)

オプション・モジュール

モジュール	モジュール名称	占有スロット数	試験項目	主な仕様
S2016C-SA	High Power Source Measure Unit	1	DC I-V Pulsed I-V	電圧：最大 200 V / 電流：最大 1 A（パルスモード時最大 3 A）最小分解能：1 fA / 100 nV
S2017C-SA	High Resolution Source Measure Unit	1	DC I-V Pulsed I-V	電圧：最大 200 V / 電流：最大 1 A 最小分解能：1 fA / 100 nV オプションのプリアンプ（前置ユニット）により、0.1 fA の最小分解能および I-V/C-V 変換に対応
Z4005C-SA	Multi-Frequency Capacitance Measurement Unit	2	AC Impedance C-V, C-f, C-t	周波数範囲：20 Hz to 10 MHz 内蔵 DC バイアス：±40 V
S3023P-SA	Semiconductor Pulse Generator Unit	2	2-Level/3-Level Pulse ALWG	高電圧出力：最大 ±40 V 最小パルス幅：20 ns
S3033C-SA	Waveform Generator and Fast Measurement Unit	3	PG/Fast IV ALWG Transient Waveform Capture	プログラミング分解能：2 ns サンプリングレート：500 MSa/s 出力電圧：20 Vp-p

主なアプリケーション

カテゴリー	アプリケーション試験
CMOS トランジスタ	Id-Vg, Id-Vd, Vth, Breakdown, Capacitance, Self-heating reduction, etc.
バイポーラ接合トランジスタ (BJT)	Ic-Vc, Diode, Gummel plot, Breakdown, hFE, Capacitance, etc.
ディスクリート半導体	Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, Diode, etc.
メモリ	Vth, Capacitance, Endurance test, etc.
パワーデバイス	Pulsed Id-Vg, Pulsed Id-Vd, Breakdown, etc.
ナノデバイス	Resistance, Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, etc.
信頼性試験	NBTI/PBTI, Charge pumping, Electromigration, Hot Carrier Injection, V-Ramp, J-Ramp, TDDB, etc.

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