検索キーワードを入力してください!

Site Map

サイトマップ

ベンチトップ型高精度ソースメーター

S2031H

シングルチャンネル高精度SMU


聯訊儀器 S2031H 高精度SMUはコンパクトで効率的で費用対効果の高いシングルチャネルベンチトップ型SMUで、幅広い電圧源(±200V)と電流源(±1A DCと±3Aパルス)機能、優れた精度、6 1/2桁の表示(最小100fA/100nVの表示分解能)および優れたカラーLCDグラフィックユーザーインタフェース(GUI)を持っています。

特徴

  • 広い測定範囲

    測定範囲:±200V、±1A(DC)、±3A(パルス)
  • 高い分解能

    最小測定分解能は100 fA/100 nVに達します
  • サンプリングレートが高い

    最大1MのADCサンプリングレートに対応
  • しきい値トリガー

    ハードウェアによる高速IOは、しきい値トリガーを実現し、出力測定値とユーザーシステムの効率的なインタラクションを実現

機能と利点

  • DC I-V出力能力

  • パルスI-V出力能力

電圧仕様

電圧精度

測定範囲

測定分解能

精度(1年) 【1】

±(%読み取り値+バイアス)

雑音の標準値 (有効値)0.1 Hz-10 Hz

±200 V【2】

100 μV

0.03% + 10 mV

0.4 mV

±20 V

10 μV

0.03% + 1 mV

50 μV

±6 V

1 μV

0.03% + 0.4 mV

12 μV

±0.6 V

100 nV

0.03% + 100 μV

3 μV

温度係数

±(0.15×精度仕様)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

オーバーショート

<±0.1%(Normal,ステップは範囲の10%から90%、測定範囲内の最大値、抵抗負荷テスト)

ノイズ10Hz-20MHz

<5 mVrms (20 V電圧源,1 A抵抗負荷)

[1]精度計算の例:600mVレンジで120mV 出力の精度をテストする場合、許容差は:

[2]本仪表には潜在的な危険な高圧(±210 V)がHI /Sense HI/Guard 端子に出力されます。電撃を防ぐために、電源を入れる前に関連する安全対策を講じる必要があります。Guard 端子を任意の出力に接続しないでください。シャーシの接地や出力 LOに短絡することも含めて、そうしないと機器が損傷します


電流仕様


電流精度

測定範囲

測定分解能

精度(1年)

±(%読み取り値+バイアス)

雑音の標準値 (有効値)

0.1Hz-10Hz

±3 A【3】

1 μA

0.03% + 2 mA

40 μA

±1 A

100 nA

0.03% + 90 μA

7 μA

±100 mA

10 nA

0.03% + 9 μA

600 nA

±10 mA

1 nA

0.03% + 900 nA

60 nA

±1 mA

100 pA

0.03% + 90 nA

6 nA

±100 μA

10 pA

0.03% + 9 nA

700 pA

±10 μA

1 pA

0.03% + 1 nA

80 pA

±1 μA【4】

100 fA

0.03% + 200 pA

20 pA

温度係数

±(0.15×精度仕様)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃)

オーバーショート

<±0.1%(20V電圧測定範囲,Normal,ステップは範囲の10%から90%、測定範囲内の最大値、抵抗負荷テスト)

[3]3A 量程のみパルスモードをサポートし、精度は典型値です

[4]小電流測定には、三同軸ケーブル接続を推奨します:Hiは中心導体に接続し、Guardは内側のシールド層に接続し、外側のシールド層は保護接地に接続します;LOは中心導体に接続し、内側のシールド層は接続せず、外側のシールド層は保護接地に接続します。同軸ケーブルの定格絶縁電圧は250V 以上でなければなりません


パルス仕様(4線式)


指標項

仕様指標

プログラミング可能な最小パルス幅

100 μs

パルス幅プログラミング分解能

1 μs

パルス幅プログラミング精度

±10 μs

パルス幅ジッター

2 μs

パルス幅の定義

次の図に示すように、10 %の先頭から90 %の立ち下がり区間までの時間

最大電流制限

最大パルス幅

最大デューティ比

0.1 A/200 V

DC,無制限

100%

1 A/20 V

DC,無制限

100%

3 A/66.6 V

1 ms

5%

3 A/160 V

400 μs

2%


パルス立ち上がり時間(4線式)



出力

最大出力

立ち上がり時間【5】

安定時間【6】

テスト負荷

電圧源

160 V

800 μs

1.2 ms

無負荷

5 V

40 μs

100 μs

無負荷

電流源

3A~1 mA

90 μs

250 μs

全負荷時【7】

100 μA~10 μA

120 μs

400 μs

全負荷時【7】

1 μA

800 μs

1.2 ms

全負荷時【7】

[5]パルスの先頭が10%から90%までの所要時間

[6]パルスが最終値まであと1%に達するまでの所要時間

[7]テスト条件:normal純抵抗全負荷電圧が6Vに上昇


出力セットアップ時間



出力

測定範囲

出力セットアップ時間【8】

テスト要件

Fast【9】

Normal

Slow

電圧源

200 V

<500 μs

<1 ms

<2 ms

開回路条件下で、最終値まであと0.1%以内に達するまでの所要時間。ステップは範囲の10%から90%になります

20 V

<60 μs

<100 μs

<600 μS

6 V

<60 μs

<100 μs

<300 μs

0.6 V

<50 μs

<50 μs

<50 μs

電流源

3 A~1 mA

<50 μs

<100 μs

<0.8 ms

Normal条件で全負荷の場合、電圧出力は6Vに達します。最終値まであと0.1%以内に達するまでの(3Aの範囲の場合は0.3%)所要時間。ステップは範囲の10%から90%になります

100μA~10μA

<100 μs

<150 μs

<0.8 ms

1 μA

<1 ms

<1 ms

<1 ms

[8]出力スルーレート: Fast、Normal、Slow。ユーザーは自分で負荷特性に応じてAPFCパラメータを調整して、適切なセットアップ時間や安定性を得ることができます。

[9]Fastモードは、異なる測定範囲や負荷条件で出力する場合、大きなオーバーシュートを引き起こす可能性があり、オーバーシュートに対する感度が高い機器にはnormalモードまたはSlowモードをお勧めします。


サンプリングレートとNPLCの設定



設定方法

設定範囲

NPLC

0.00005 PLC~10 PLC

Sampling Rate

5 sps~1 Msps


測定精度のディレーティング(PLC<1)


誤差が増大する測定範囲のパーセンテージ

PLC

測定範囲

600 mV

6 V

20 V

200 V

1 μA

10 μA

100μA至

100 mA

1 A至

3 A

0.1

0.02%

0.01%

0.01%

0.01%

0.02%

0.01%

0.01%

0.01%

0.01

0.3%

0.3%

0.03%

0.02%

0.2%

0.04%

0.02%

0.02%

0.001

3.2%

3.2%

0.4%

0.1%

2.5%

0.4%

0.03%

0.03%

その他おすすめ

高速通信テスト関連製品
高速通信テスト関連製品

情報通信の基盤である光通信ネットワークはビッグデータ、クラウドコンピューティング、5G通信など社会の幸せと技術の進化を支える重要な役割を果たしています。聯訊儀器の光通信関連設備は光モジュールや光学機器など基盤製品の生産プロセス、検査プロセスに使用されるサンプリングオシロスコープ、BERメーター、波長測定計、流量計及び汎用光学計測機器などをラインナップし、マーケットにコミットしたトータルソリューションをご提供します。

Details
電気特性計測関連設備
電気特性計測関連設備

聯訊儀器の高精度ソースメーターは優れた操作性を維持しながら、安定した電圧(DC/AC)、電流(DC/AC)の供給と高い測定精度を実現した電子負荷装置で、産業用や研究開発用として幅広く製品を展開してきました。

Details
レーザーダイオードチップテスター
レーザーダイオードチップテスター

LDのバーンインテストは、LDの信頼性を確保するための重要なテスト手法として産業用プロセスに広く活用されています。COC、COSまたはDIEのバーンインテストを通じて、LD生産プロセスによる欠陥を早期に発見し、後工程でのLDの故障や不良を防止できます。LDスクリーニングによる廃却損失の低減、サイクルタイムの向上、工程内のムダを発見することでチップ生産の効率を大幅に向上させます。聯訊儀器はDIEからCOCまで、高温から-40℃の低温まで、トータルソリューションを提供し、多様なお客様の要件にお応えします。

Details
パワー半導体KGDテスター
パワー半導体KGDテスター

半導体のフロントエンドテストは主にウェハーの加工プロセスで実施されます。これにより、ウェハー製造プロセスの各工程の指標、閾値、パラメータ要件などは設計の目標値を満たしているかを確認し、良品率に影響を与える欠陥を早期に発見することができます。

Details
ログイン後 すぐダウンロードできます!

アカウント

パスワード

新規登録 今すぐダウンロード!

氏名

氏名を入力してください *

メールアドレス

メールアドレスを入力してください *

メールアドレスの認証コード

メールアドレスの認証コードを入力してください

電話番号

連絡先の電話番号を入力してください

パスワード

ログインパスワードを入力してください *

パスワードを確認

ログインパスワードをもう一度入力してください *
パスワードを取り戻す

メールアドレス

メールアドレスを入力してください *

メールアドレスの認証コード

メールアドレスの認証コードを入力してください

新しいパスワード

ログインパスワードを入力してください *

パスワードを確認

ログインパスワードをもう一度入力してください *