新製品紹介 | 蘇州聯訊3500V高電圧高精度ソースメーターS3030F-苏州联讯仪器股份有限公司

ご案内:
パワー半導体デバイス(Power Semiconductor Device)は、電子機器が電力変換、電源管理を実現するコアデバイスで、主な機能として、周波数変換、電圧変換、整流、パワー変換と管理などがあり、数十ボルトから数キロボルトまでの電圧と最大数千アンペアの電流を扱うことが可能です。聯訊儀器3500V 高電圧ソースメーターS3030Fは高電圧電子とパワー半導体デバイスの特性テスト、または高電圧と高精度の測定が必要な部品と材料の特性評価のために設計されています。

特徴と優位性

S3030fは最大±3500V、±120mA(DC)、最大10G GΩの抵抗測定範囲と最大180Wパワーの出力を提供することができ、パワー半導体の特性、GaN、SiCの特性評価、複合材料、高電圧リーク電流などのテストと研究分野に広く活用されています。
1>高電圧かつハイパワー
±3500V/±120mA(DC)/180W
2>高精度測定
分解能が1fA/100uVに達します
3>高速測定
最大1MのADCサンプリングレート
4>抵抗の測定範囲が非常に広い
最大抵抗測定範囲は10 GΩ

高電圧ソースメーターの応用事例

1>SiC MOSFETドレイン遮断電流テストIDSS
IDSS: ゲートとソースが短絡した場合にドレインとソースの間に指定された電圧が印加されたときに発生するリーク電流

SiC MOSFET V (BR)DSSテスト:
ゲートとソースが短絡した場合、高電圧ソースメーターを利用してドレインとソースの間で電流掃引を行うことができます。上図のようにList掃引機能を利用して、掃引電流源を20 uA、200 uA、1000 uA、5000 uA、10000 uAで出力し、掃引と同時に高電圧ソースメーターを利用してVDSの両端電圧を測定します。

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